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    先進半導體

    Advanced Semiconductor

    VCSEL襯底

    發布時間:2020-07-08 16:07:17

    VCSEL襯底

    摻鋅導體材料在光電子領域中作為外延襯底砷化鎵用于制造激光二極管等光電子器件(LD)。

     1、產品圖片

               摻鋅砷化鎵晶體拋光片(直徑3英寸、4英寸、6英寸)

    2、產品規格

    Production Specification

    VCSEL

    Growth Method:

    VGF

    Conduct Type:

    N

    Dopant:

    Si

    Diameter:

    4"-6"

    Ingot CC:

    0.8-4.0 E18

    Resistivity:

    1.0-6.0 E-3

    Mobility:

    ≥1500

    EPD:

    Ave. :≤ 500

    Bow:

    <10

    Warp:

    <10

    TTV:

    <5

    Light Point Defects:

    ≤ 100

    3、應用領域

     人臉識別

     

     自動結算

     

    自動駕駛

     

     門禁系統

     

     電子產品

     

    智能家居

      

     

     

     

     

     

     

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